SI4288DY-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI4288DY-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 7,4А; 3,1Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET x2
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 7,4А
Потужність розсіювання 3,1Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 20мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 4,9нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat