SI4178DY-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI4178DY-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 6,7А
Потужність розсіювання 5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 33мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 12нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat