SI4174DY-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI4174DY-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 13,5А
Потужність розсіювання 3,2Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 9,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 8нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat