SI3585CDV-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI3585CDV-T1-GE3
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N/P-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20/-20В
Струм стока 3,1/-1,7А
Потужність розсіювання 0,9/8Вт
Корпус TSOP6
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 78/316мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 4,8/9нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat