SI3552DV-T1-E3 - Транзистори багатоканальні

SI3552DV-T1-E3
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 2,5/-1,8А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N/P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30/-30В
Струм стока 2,5/-1,8А
Потужність розсіювання 1,15Вт
Корпус TSOP6
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 360/175мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -7...8А
Заряд затвора 3,6/3,2нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat