SI2366DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2366DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 5,8А
Потужність розсіювання 1,3Вт
Корпус SOT23
Опір в стані провідності 36мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 10нКл
Струм стоку в імпульсі 20А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat