SI2329DS-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SI2329DS-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -8В
Струм стока -6А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±5В
Опір в стані провідності 30мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 11,8нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat