SI2312CDS-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI2312CDS-T1-GE3
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 5,1А
Потужність розсіювання 1,3Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 41,4мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 8,8нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat