SI1308EDL-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI1308EDL-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 1,4А
Потужність розсіювання 0,3Вт
Корпус SC70
SOT323
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 132мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Заряд затвора 4,1нКл
Струм стоку в імпульсі
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat