SI1302DL-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI1302DL-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 0,48А
Струм стоку в імпульсі 1,5А
Потужність розсіювання 0,18Вт
Корпус SC70
SOT323
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,48Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 1,4нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat