SI1062X-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SI1062X-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 0,53А
Потужність розсіювання 0,22Вт
Корпус SC89
SOT563
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 762мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 2,7нКл
Струм стоку в імпульсі
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat