SH8KC6TB1 - Транзистори багатоканальні

SH8KC6TB1
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 6,5А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SOP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 46мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 26А
Заряд затвора 7,6нКл
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat