RSR030N06HZGTL - Транзистори з каналом N SMD

RSR030N06HZGTL
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 12А
Потужність розсіювання 1Вт
Корпус TSMT3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,105Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 5нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat