RQ3E180AJTB - Транзистори з каналом N SMD

RQ3E180AJTB
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 30А
Струм стоку в імпульсі 72А
Потужність розсіювання 30Вт
Корпус HSMT8
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 5,8мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 39нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat