RQ3E120GNTB - Транзистори з каналом N SMD

RQ3E120GNTB
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 27А
Потужність розсіювання 15Вт
Корпус HSMT8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 13,8мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 48А
Заряд затвора 10нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat