RQ3E120ATTB - Транзистори з каналом P SMD

RQ3E120ATTB
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -39А
Потужність розсіювання 20Вт
Корпус HSMT8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 11,3мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -48А
Заряд затвора 62нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat