RQ3E100BNTB - Транзистори з каналом N SMD

RQ3E100BNTB
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 21А
Потужність розсіювання 15Вт
Корпус HSMT8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 15,3мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 22нКл
Струм стоку в імпульсі 40А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat