RF4E100AJTCR - Транзистори з каналом N SMD

RF4E100AJTCR
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 10А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус DFN2020-8S
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 12,4мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 13нКл
Струм стоку в імпульсі 36А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat