RF4E080GNTR - Транзистори з каналом N SMD

RF4E080GNTR
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 32А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус DFN2020-8S
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 17,6мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 5,8нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat