QS6K1TR - Транзистори багатоканальні

QS6K1TR
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 1А
Струм стоку в імпульсі 4А
Потужність розсіювання 1,25Вт
Корпус TSMT6
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 364мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 1,7нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat