PMPB215ENEA/FX - Транзистори з каналом N SMD

PMPB215ENEA/FX
Опис

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт

Характеристики
Виробник NEXPERIA
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 1,2А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус DFN2020MD-6
SOT1220
Опір в стані провідності 445мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія Trench
Заряд затвора 7,2нКл
Струм стоку в імпульсі 7,6А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat