PJT7801-R1 - Транзистори багатоканальні

PJT7801-R1
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт

Характеристики
Виробник PanJit Semiconductor
Тип транзистора P-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -0,7А
Потужність розсіювання 0,35Вт
Корпус SOT363
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 0,6Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -2,8А
Заряд затвора 2,2нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat