NX2301P.215 - Транзистори з каналом P SMD

NX2301P.215
Опис

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB

Характеристики
Виробник NEXPERIA
Тип транзистора P-MOSFET
Корпус SOT23
TO236AB
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -2А
Заряд затвора 6нКл
Опір в стані провідності 0,27Ом
Потужність розсіювання 0,4Вт
Напруга затвор-джерело ±8В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Монтаж SMD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat