NVF2955T1G - Транзистори з каналом P SMD

NVF2955T1G
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -2,6А
Потужність розсіювання 2,3Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 154мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 14,3нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat