NVD5C688NLT4G - Транзистори з каналом N SMD

NVD5C688NLT4G
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 12А
Струм стоку в імпульсі 77А
Потужність розсіювання 9Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±16В
Опір в стані провідності 27,4мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 7нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat