NTZD3152PT1G - Транзистори багатоканальні

NTZD3152PT1G
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Тип транзистора P-MOSFET x2
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -0,43А
Заряд затвора 1,7нКл
Опір в стані провідності 2Ом
Потужність розсіювання 0,25Вт
Напруга затвор-джерело ±6В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус SOT563
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat