NTJD5121NT1G - Транзистори багатоканальні

NTJD5121NT1G
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 0,295А
Потужність розсіювання 0,25Вт
Корпус SC70-6
SC88
SOT363
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,5Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 0,9нКл
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat