NTHD3100CT1G - Транзистори багатоканальні

NTHD3100CT1G
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N/P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20/-20В
Струм стока 3,9/-4,4А
Потужність розсіювання 3,1Вт
Корпус ChipFET
Напруга затвор-джерело ±12/±8В
Опір в стані провідності 115/110мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Вид транзистора додаткова пара
Струм стоку в імпульсі 12А
Заряд затвора 7,4нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat