NTE4151PT1G - Транзистори з каналом P SMD

NTE4151PT1G
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -0,76А
Потужність розсіювання 313мВт
Корпус SC89
Напруга затвор-джерело ±6В
Опір в стані провідності 1Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 2,1нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat