NLP51218B200TQLI - Пристрої SRAM, паралельні

NLP51218B200TQLI
Опис

IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel

Характеристики
Виробник ISSI
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Вид пам’яті SRAM
Пам'ять 9Мб SRAM
Структура пам'яті 512kx18bit
Робоча напруга 3,3В
Час доступу 3,1нс
Корпус QFP100
Тип інтерфейсу паралельний
Монтаж SMD
Робоча температура -40...85°C
Вид упаковки лоток
туба
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat