NCP81080DR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

NCP81080DR2G
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-side,контролер затворів; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Робоча температура -40...140°C
Вихідний струм -800...500мА
Час наростання імпульсу 19нс
Час спадання імпульсу 17нс
Напруга живлення 5,5...20В DC
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-side
контролер затворів
Монтаж SMD
Топологія півмісток MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat