NCP81080DR2G - Драйвери MOSFET/IGBT

NCP81080DR2G
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-side,контролер затворів; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-side
контролер затворів
Корпус SO8
Вихідний струм -800...500мА
Напруга живлення 5,5...20В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...140°C
Час наростання імпульсу 19нс
Час спадання імпульсу 17нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat