LGEGB15N65T2 - Транзистори IGBT SMD

LGEGB15N65T2
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263

Характеристики
Виробник LUGUANG ELECTRONIC
Тип транзистора IGBT
Властивості напівпровідникових елементів integrated anti-parallel diode
Монтаж SMD
Заряд затвора 45нКл
Час ввімкнення 40нс
Час вимкнення 150нс
Потужність розсіювання 125Вт
Струм колектора 15А
Струм колектора в імпульсі 60А
Напруга затвор - емітер ±20В
Напруги колектор-емітер 650В
Корпус TO263
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat