LGE2300-LGE - Транзистори з каналом N SMD

LGE2300-LGE
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23

Характеристики
Виробник LUGUANG ELECTRONIC
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 11нКл
Опір в стані провідності 32мОм
Потужність розсіювання 1,25Вт
Струм стока
Напруга затвор-джерело ±12В
Напруга сток-джерело 20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус SOT23
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat