IXTY1R6N100D2 - Транзистори з каналом N SMD

IXTY1R6N100D2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1кВ
Струм стока 1,6А
Потужність розсіювання 100Вт
Корпус TO252
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 10Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 645нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збіднений
Час готовності 11нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat