Додано в корзину
Переглянути корзину
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний
| Виробник |
IXYS |
| Тип напівпровідникового модуля |
транзисторний MOSFET |
| Структура напівпровідника |
одиночний транзистор |
| Напруга сток-джерело |
100В |
| Струм стока |
420А |
| Корпус |
SOT227B |
| Електричний монтаж |
пригвинчуваний |
| Поляризація |
польовий |
| Опір в стані провідності |
2,3мОм |
| Струм стоку в імпульсі |
1кА |
| Потужність розсіювання |
1,07кВт |
| Технологія |
GigaMOS™ HiPerFET™ |
| Вид каналу |
збагачений |
| Заряд затвора |
670нКл |
| Час готовності |
140нс |
| Напруга затвор-джерело |
±30В |
| Механічний монтаж |
пригвинчуваний |