Додано в корзину
Переглянути корзину
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
| Виробник |
IXYS |
| Технологія |
HiPerFET™ Polar™ |
| Структура напівпровідника |
одиночний транзистор |
| Корпус |
SOT227B |
| Вид каналу |
збагачений |
| Поляризація |
польовий |
| Механічний монтаж |
пригвинчуваний |
| Напруга затвор-джерело |
±40В |
| Час готовності |
300нс |
| Заряд затвора |
197нКл |
| Опір в стані провідності |
390мОм |
| Струм стока |
23А |
| Потужність розсіювання |
595Вт |
| Струм стоку в імпульсі |
65А |
| Напруга сток-джерело |
1кВ |
| Електричний монтаж |
пригвинчуваний |
| Тип напівпровідникового модуля |
транзисторний MOSFET |