IXFJ20N85X - Транзистори з каналом N THT

IXFJ20N85X
Опис

Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 850В
Струм стока 9,5А
Струм стоку в імпульсі 50А
Потужність розсіювання 110Вт
Корпус ISO247™
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,36Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 63нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Час готовності 190нс
Технологія HiPerFET™
X-Class
Властивості напівпровідникових елементів ultra junction x-class
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat