IXFH230N10T - Транзистори з каналом N THT

IXFH230N10T
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 230А; 650Вт; TO247-3; 82нс

Характеристики
Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 230А
Потужність розсіювання 650Вт
Корпус TO247-3
Опір в стані провідності 4,7мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Час готовності 82нс
Властивості напівпровідникових елементів thrench gate power mosfet
Заряд затвора 250нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat