Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,1А; 39Вт; IPAK
| Виробник |
INFINEON TECHNOLOGIES |
| Технологія |
HEXFET® |
| Корпус |
IPAK |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Монтаж |
THT |
| Вид каналу |
збагачений |
| Поляризація |
польовий |
| Заряд затвора |
16,7нКл |
| Опір в стані провідності |
0,21Ом |
| Струм стока |
9,1А |
| Потужність розсіювання |
39Вт |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Напруга сток-джерело |
100В |