IRFP4768PBFXKMA1 - Транзистори з каналом N THT

IRFP4768PBFXKMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 66А
Струм стоку в імпульсі 370А
Потужність розсіювання 520Вт
Корпус TO247AC
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 17,5мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 180нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat