IRFP4768PBFXKMA1 - Транзистори з каналом N THT

IRFP4768PBFXKMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки туба
Технологія HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO247AC
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 180нКл
Опір в стані провідності 17,5мОм
Струм стока 66А
Потужність розсіювання 520Вт
Струм стоку в імпульсі 370А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 250В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat