IRFP4668PBFXKMA1 - Транзистори з каналом N THT

IRFP4668PBFXKMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 161нКл
Опір в стані провідності 9,7мОм
Потужність розсіювання 520Вт
Струм стока 130А
Напруга затвор-джерело ±30В
Напруга сток-джерело 200В
Вид упаковки туба
Корпус TO247AC
Технологія HEXFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat