IRFBC40APBF - Транзистори з каналом N THT

IRFBC40APBF
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB

Характеристики
Виробник VISHAY
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 42нКл
Товщина радіатора 1,14...1,4мм
Опір в стані провідності 1,2Ом
Струм стока 3,9А
Струм стоку в імпульсі 25А
Напруга затвор-джерело ±30В
Потужність розсіювання 125Вт
Напруга сток-джерело 600В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat