IRFB3307ZPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB3307ZPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія HEXFET®
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 79нКл
Опір в стані провідності 5,8мОм
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 230Вт
Напруга сток-джерело 75В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat