IRF820APBF - Транзистори з каналом N THT

IRF820APBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,5А; Idm: 10А; 50Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник VISHAY
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 17нКл
Опір в стані провідності 3Ом
Струм стока 2,5А
Потужність розсіювання 50Вт
Струм стоку в імпульсі 10А
Напруга затвор-джерело ±30В
Напруга сток-джерело 500В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat