IRF710PBF - Транзистори з каналом N THT

IRF710PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник VISHAY
Монтаж THT
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 17нКл
Опір в стані провідності 3,6Ом
Струм стока 1,2А
Потужність розсіювання 36Вт
Струм стоку в імпульсі
Напруга сток-джерело 400В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat