IRF630NPBF - Транзистори з каналом N THT

IRF630NPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 9,5А
Потужність розсіювання 82Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,3Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 23,3нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat