IRF530NPBF - Транзистори з каналом N THT

IRF530NPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки туба
Технологія HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 24,7нКл
Опір в стані провідності 90мОм
Потужність розсіювання 79Вт
Струм стока 17А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat