IRF510PBF - Транзистори з каналом N THT

IRF510PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 8,3нКл
Опір в стані провідності 0,54Ом
Потужність розсіювання 43Вт
Струм стока
Напруга затвор-джерело ±20В
Струм стоку в імпульсі 20А
Напруга сток-джерело 100В
Вид упаковки туба
Корпус TO220AB
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat