IRF1018EPBF - Транзистори з каналом N THT

IRF1018EPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; 110Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 46нКл
Опір в стані провідності 8,4мОм
Струм стока 79А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 60В
Потужність розсіювання 110Вт
Технологія HEXFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat