IRF1010EPBF - Транзистори з каналом N THT

IRF1010EPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Корпус TO220AB
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 81А
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 86,6нКл
Опір в стані провідності 12мОм
Потужність розсіювання 170Вт
Технологія HEXFET®
Вид упаковки туба
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat